2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-2R-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 2R (231-2)

座長:末益 崇(筑波大)

09:30 〜 09:45

[16a-2R-3] Fe3Si/Si(111)ヘテロ界面の熱安定性の評価

〇前田 佳均1,2、川久保 雄基1、寺井 慶和1、鳴海 一雅2、境 誠司2 (1.九工大院情報工、2.原子力機構)

キーワード:Fe3Si/Siヘテロ界面、イオンビーム解析、ホイスラー合金

本研究では,デバイス応用上も重要であるFe3Si/Si(111):2元系ヘテロ界面のイオンビーム解析を行い,その熱安定性を支配する要因について検討した.熱的安定性を静的原子変位もとめて評価した結果,673Kを境にして変位がほとんど変化しない領域1と急激に変化する領域2があることを見出した.それぞれの領域の物理的要因について考察した.