[16a-2R-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-2R-5] 窒素（N）ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

〇秋山 賢輔^1,2、高橋 亮¹、松本 佳久¹、舟窪 浩² (1.神奈川産技セ、2.東工大総理工)

キーワード：鉄シリサイド、フォトルミネッセンス、窒素ドープ

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(b-FeSi₂)は、1.55μm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンス(EL)）が報告され、その実用化には発光効率の向上が求められている。本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂において、NをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善され290KまでPL発光が観察されることを報告する。