[16a-4C-1~11] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-4C-1] Evaluation of annealing on electrical properties of GaAs/GaAs bonding interfaces

〇Li Chai¹, Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ.)

Keywords:semiconductor,GaAs

我々は表面活性化ボンディング(SAB）法によりタンデム太陽電池などの新機能デバイス実現の研究を進めている。SAB法により形成される接合界面には高密度の界面準位が存在し、デバイス特性に影響を及ぼすと予想されるが、その定量的評価は不十分である。我々は、n-Si/n-Si接合、p-Si/p-Si接合の電気特性の温度依存性から接合界面準位の密度を見積もった[1]。本研究では同手法をアニールされたGaAs/GaAs接合に適用し、界面準位密度の抽出を試みた。