[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-1] GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み

〇柴 麗¹、剣波 梁¹、重川 直輝¹ (1.大阪市立大学)

キーワード：半導体、GaAs

我々は表面活性化ボンディング(SAB）法によりタンデム太陽電池などの新機能デバイス実現の研究を進めている。SAB法により形成される接合界面には高密度の界面準位が存在し、デバイス特性に影響を及ぼすと予想されるが、その定量的評価は不十分である。我々は、n-Si/n-Si接合、p-Si/p-Si接合の電気特性の温度依存性から接合界面準位の密度を見積もった[1]。本研究では同手法をアニールされたGaAs/GaAs接合に適用し、界面準位密度の抽出を試みた。