[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-10] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造の縦方向耐圧のAlN層成長条件依存性

〇伊藤 和宏¹、山岡 優也^1,2、江川 孝志¹、生方 映徳²、田渕 俊也²、松本 功² (1.名工大、2.大陽日酸)

キーワード：窒化物半導体、MOCVD、結晶成長