09:15 〜 09:30
[16a-4C-2] 常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価
キーワード:SiC、GaAs、表面活性化接合
我々は次世代のパワーデバイス材料として有望なSi/SiCヘテロ接合のバンド構造を議論してきた。今回は新たに高電力、高周波動作デバイスの実現が期待できるGaAs/4H-SiCヘテロ接合を常温接合法である表面活性化接合法(SAB)にて作製し、電気特性評価を行った。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 4C (432)
座長:東脇 正高(NICT)
09:15 〜 09:30
キーワード:SiC、GaAs、表面活性化接合