[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-4C-3] 超格子FET のためのAlAs/InGaAsダブルバリアp-i-n 接合ダイオード

〇行待 篤志¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大院理工)

キーワード：超格子FET、急峻なI-V特性、接合ダイオード

FETの省電力化、高速化のために従来のMOSFETより急峻なSSが得られるFETとして超格子FETが提案されているが、いまだ実現に至っていない。そこで、その第一歩としてp-i-n接合ダイオードにAlAs/InGaAsダブルバリア構造を取り入れたデバイスを作り、急峻なI-V特性の観測を目指して実験を行った。その結果、n<1は観測できなかったものの非常に大きなn値の凹凸が観測された。