[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-5] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの初期耐圧不良解析（２）

〇成田 好伸¹、堀切 文正¹、吉田 丈洋¹、太田 博²、三島 友義²、中村 徹² (1.サイオクス、2.法政大理工)

キーワード：GaN、ダイオード、不良解析

GaN自立基板上の縦型p-n接合ダイオードにおいて、初期耐圧不良を引き起こすピットの発生源について調査した結果、ピット下部の結晶中に異物が存在していることを確認した。これらの結果から、異物混入を防ぐような基板及び炉内清浄度の管理を行うことでピットの発生が抑制され、p-n接合ダイオードの初期耐圧不良を改善することが可能と思われる。