[16a-4C-1~11] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16a-4C-8] Steady State Photo Capacitance Spectroscopy in Gallium Nitride Grown via MOHVPE

〇Manato Deki¹, Zheng Ye¹, Yoshio Honda¹, Hiroshi Amano^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.A.R.C)

Keywords:Gallium Nitride,Photo capacitance spectroscopy

現在、MOCVD 法を用いたGaN エピタキシャル膜において、未分解のMO 原料起因の炭素がエピ膜中に混入し、深い捕獲準位を形成することでGaNデバイスの電流コラプスを引き起こすことが問題となっている。本研究では、Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy (MOHVPE)法を用いて、塩基によるMO 原料の分解促進を試みた。炭素起因の深い捕獲準位の低減効果は、光容量分光法を用いてGaN エピ膜中における欠陥密度を測定することにより評価した。