[16a-4E-9~12] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[16a-4E-11] Exposure Characteristics of New Modacrylic Electron Beam Polymer Resist

〇RYOICHI HOSHINO¹, ATSUSHI KAWATA¹, MASASHI KUNITAKE², SHUNSUKE OCHIAI³, TOMOHIRO TAKAYAMA³, YUKIKO KISHIMURA³, HIRONORI ASADA³ (1.Gluon Lab, 2.Kumamoto Univ., 3.Yamaguchi Univ.)

Keywords:Electron Beam Resist,Polymer Resist

代表的なポリマータイプの高解像ポジ型電子線レジストとして、αクロロアクリル酸メチルとαメチルスチレンの共重合体がある。このレジストの電子線に対する反応は、電子線照射により側鎖の塩素がクロライドアニオンとして解離し、ここで発生したラジカルが引き金となり主鎖のC-C結合を切断するものと考えられている。また、脱離した塩素がフェニル基と電荷移動錯体を形成し、ラジカル生成を引き起こすという研究結果もある。メタクリル酸ベンジルはαメチルスチレンに比べ主鎖から離れた位置にベンゼン環を有しており側鎖の長い構造をしている。そこで、今回、メタクリル酸ベンジルと、従来のαクロロアクリル酸メチルを共重合したポリマーを合成し、電子線レジストとしての性能を検討した。従来組成のレジストとの性能を比較することで、レジストにおける高分子の化学構造組成のデザインの役割を探った。