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[16a-PA2-50] シリコンモノオキサイド蒸着膜によるグラフェンのドーピング
キーワード:グラフェン、電界効果トランジスタ、ドーピング
シリコンモノオキサイド(SiO)の蒸着により、グラフェン上に欠陥を誘起せず誘電体(SiOx)を形成出来ることが分かっているが、電気特性への影響は明らかではなかった。本報告では、SiOx膜の組成(Si/O比)を変化させ、界面構造の違いによりSiO膜とグラフェン間の電荷移動、すなわちドーピングについて調べた。その結果、SiO-likeなSiOx膜とSiO2-likeなSiOx膜が異なるドーピングを与えることが示された。