[16p-1D-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-1D-12] Linewidth analysis of intersubband absorption in non-polar m-plane AlGaN/GaN quantum wells

〇Teruhisa Kotani^1,2,3, Munetaka Arita¹, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.Nano Quine, 2.IIS Univ. of Tokyo, 3.SHARP)

Keywords:nitride,non polar,quantum wells

無極性m面Al_0.49Ga_0.51N（3.2nm）/ GaN(2.9nm) QWのISB吸収ピークはドーピング濃度の増加とともにブルーシフトし、線幅が増大することが実験的に確かめられた。ピークのブルーシフトは多体効果により定量的に説明できることを前回報告した。今回、多体効果に加え、散乱の影響（フォノン3種類、界面ラフネス、不純物、合金）を取り入れて吸収スペクトルを計算した結果、線幅の増大も定量的に説明することができるようになった。