The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-1D-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

Wed. Sep 16, 2015 1:15 PM - 5:00 PM 1D (141+142)

座長:山田 陽一(山口大),上山 智(名城大)

1:30 PM - 1:45 PM

[16p-1D-2] Optical Polarization Properties of Nonpolar InGaN films Measured by Photoluminescence Excitation Spectroscopy

〇(M2)RYOHEI MAEDA1, SHIGETA SAKAI1, ATSUSHI A. YAMAGUCHI1, KAORI KURIHARA2, SATORU NAGAO2 (1.Kanazawa Inst. of Tech., 2.Mitsubishi Chemical Corp.)

Keywords:Polarization,Valence-band,InGaN

非極性InGaN量子井戸の偏光特性は、価電子帯の2つのバンドのエネルギー差(ΔE)を用いて定量的に表すことができる。これまでに我々は、正確なΔEの見積もりには偏光PL測定ではなく偏光PLE測定が必須であることを報告している。本研究では、In組成の異なる複数のm面上InGaN量子井戸試料に対して偏光PL/PLE測定を行い、ΔEのIn組成比依存性を調べた。その結果、二つの測定から得られたΔEのIn組成非依存性は明らかに異なる傾向を示すことが判明した。