[16p-1D-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-1D-4] Study on Junction leakage Currents and Deep Levels in InGaN Solar Cells

〇Daichi Imai^1,2, Kazuhide Kusakabe^1,2, Ke Wang^1,2, Akihiko Yoshikawa^1,2,3 (1.SMART, Chiba Univ., 2.JST-ALCA, 3.Kogakuin Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor,Leakage current,Deep level

InGaN は紫外から近赤外に渡り吸収端波長域が制御可能なため、太陽光スペクトルのほぼ全域
をカバーする超高効率太陽電池への応用が原理的に期待される。InGaN 太陽電池の動作点につい
て注意しなければならないのは、青-緑色発光素子と同程度のIn 組成の場合、AM-1.5/1-sun 照射下
での電流密度が数mA/cm² と発光素子のそれより3 桁以上低く、リーク電流の影響が極めて深刻
になる点である。実際に、InGaN 太陽電池の接合リーク電流密度は極めて大きく、そのメカニズ
ムについての理解も未だに不明である。本研究では、InGaN 太陽電池の接合リーク電流の要因に
迫るべく、空乏層近傍に形成される深い準位の影響について、光容量法による検証を行った。