2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 2D (212-2)

座長:嵯峨 幸一郎(ソニー),森 伸也(阪大)

13:15 〜 13:30

[16p-2D-1] SSRM(Scanning Spread Resistance Microscope)測定技術のデバイス故障解析への応用

〇早瀬 洋平1、原 啓良1、小形 信介1、張 利2、圷 晴子1 (1.(株)東芝 S&S社、2.(株)東芝 R&D Center)

キーワード:SSRM、PN接合、故障解析

原子間力顕微鏡から派生した走査型静電容量顕微鏡法は、LSIの評価/解析においてSilicon内の不純物拡散を可視化する手法として非常に有効なツールである。しかし、LSIの微細化進行とともに空間分解能が不足し、新たな拡散状態可視化手法として走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)が注目を集めている。不良解析に貢献している事例を紹介し、SSRMが今後の故障解析ツールとして有効であることを示したい。