[16p-2D-1~14] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-2D-2] Effect of sample surface protection layer on SSRM measurements

〇Jun Yoshigiwa¹, Masanaga Fukasawa¹, Takuya Ito¹, Keiji Ohshima¹, Koichiro Saga¹ (1.Sony Corp.)

Keywords:carrier,dopant,spreading resistance

半導体デバイス中のキャリア分布観察にSSRMが用いられるが、ドーピングを行っていないSi基板で保護膜との界面付近が想定外に低抵抗に見える場合があったため、原因の検討を行った。
Si基板上にプラズマCVDで酸化膜を直接成膜した試料を非接触CV測定すると、負のフラットバンド電圧が得られた。本試料の断面SSRM測定では界面付近が低抵抗になったが、酸化膜中の正の固定電荷によって電子が集められたためと考えられる。