2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 2D (212-2)

座長:嵯峨 幸一郎(ソニー),森 伸也(阪大)

16:30 〜 16:45

[16p-2D-13] ドリフト拡散シミュレーションにおけるキャリア移動度の離散不純物モデル依存性

〇(M2)井上 和総1、Min Chong Lim1、植田 暁子1、佐野 伸行1 (1.筑波大数物)

キーワード：半導体　離散不純物モデル