[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-2D-2] SSRM測定における試料保護膜の影響

〇吉際 潤¹、深沢 正永¹、伊藤 琢哉¹、大島 啓示¹、嵯峨 幸一郎¹ (1.ソニー)

キーワード：キャリア、ドーパント、広がり抵抗

半導体デバイス中のキャリア分布観察にSSRMが用いられるが、ドーピングを行っていないSi基板で保護膜との界面付近が想定外に低抵抗に見える場合があったため、原因の検討を行った。
Si基板上にプラズマCVDで酸化膜を直接成膜した試料を非接触CV測定すると、負のフラットバンド電圧が得られた。本試料の断面SSRM測定では界面付近が低抵抗になったが、酸化膜中の正の固定電荷によって電子が集められたためと考えられる。