2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 2D (212-2)

座長:嵯峨 幸一郎(ソニー),森 伸也(阪大)

14:30 〜 14:45

△ [16p-2D-6] Si表面平坦化の熱処理条件依存性

〇(D)工藤 聡也1、Atthi Nithi1、大見 俊一郎1 (1.東工大)

キーワード：表面平坦化プロセス、シリコン、デバイス特性