[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [16p-2D-8] 分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内の原子間ポテンシャルに関する考察

〇富田 基裕^1,2,3、小椋 厚志²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.明大理工、3.学振特別研究員PD)

キーワード：半導体、分子動力学法、分子軌道法

分子動力学(MD)法を用いてSiGeのフォノンを再現するため、MD法と分子軌道(MO)法による原子間ポテンシャルに関する考察を行った。結果として本計算で使用したポテンシャルではSiGe内のフォノンを再現できなかった。MO法によりSi_(8−y)Ge_yH₁₈の歪エネルギーを評価したところ周辺原子に依存することを示した。MD計算にてSiGeを取り扱う場合ポテンシャルに周辺原子依存項を導入する必要がある。