2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

2015年9月16日(水) 13:45 〜 16:30 2E (221-1)

座長:丸山 武男(金沢大)

14:15 〜 14:30

[16p-2E-2] 共振点シフトDFB-LDにおける端面位相とレーザー特性との関係

〇(M2)市川 敬一郎1、沼居 貴陽1 (1.立命館理工)

キーワード:分布帰還形半導体レーザー、単一縦モード

端面光出力の非対称化によるE/O変換効率の向上と高い単一モード性を両立するために,筆者は共振点シフトDFB-LDを提案した.今回,回折格子の端面位相とレーザー特性との関係をシミュレーションした.注入電流I = 10.55 mAにおいて,両端面の位相の組合せ64通り中57通りでSMSR 35 dB以上,端面光出力比39以上が得られ,高い単一モード性と非対称光出力比を両立できる可能性を見出した.