[16p-2E-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

[16p-2E-3] Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser
with Thinned p-GaInAsP Base Layer

〇shoutarou tadano¹, Takumi Yoshida¹, Takaaki Kaneko¹, Nobuhiko Nishiyama¹, Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Inst., 2.QNERC)

Keywords:transisto rlaser

光通信の光源として利用されるレーザダイオードの変調速度を超える高速動作が期待される素子として、トランジスタレーザ（TL）が提案されている。これまで当研究室では、1.3 μm帯 TLの室温連続発振を達成してきた。今回、TLのp-GaInAsPベース層を薄膜化することにより、良好な発振特性を維持したまま電流増幅率を向上させることに成功したのでご報告する。