[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-3] 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する
1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性

〇只野 翔太郎¹、吉田 匠¹、金子 貴晃¹、西山 伸彦¹、荒井 滋久^1,2 (1.東工大電電、2.量子ナノエレクトロニクス研究センター)

キーワード：トランジスタレーザ

光通信の光源として利用されるレーザダイオードの変調速度を超える高速動作が期待される素子として、トランジスタレーザ（TL）が提案されている。これまで当研究室では、1.3 μm帯 TLの室温連続発振を達成してきた。今回、TLのp-GaInAsPベース層を薄膜化することにより、良好な発振特性を維持したまま電流増幅率を向上させることに成功したのでご報告する。