[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [16p-2E-4] 直接貼付InP/Si基板上MOVPE法によるGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積

〇松本 恵一¹、金谷 佳則¹、岸川 純也¹、山元 雄太¹、鋤柄 俊樹¹、西山 哲央¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：直接貼付法、有機金属気相成長法、GaInAsP/InP