2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.9 テラヘルツ全般

[16p-2J-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

2015年9月16日(水) 13:45 〜 17:00 2J (223)

座長:冨士田 誠之(阪大)

16:15 〜 16:30

[16p-2J-10] 300GHz 受信器用InP HEMT 集積化GaAsSb バックワードダイオード検波器

〇高橋 剛1,2、佐藤 優1,2、芝 祥一1,2、中舍 安宏1,2、原 直紀1,2 (1.富士通研、2.富士通)

キーワード:検波器、テラヘルツ、ダイオード

テラヘルツ波の高感度検出を目指し、GaAsSb系ヘテロ接合バックワードダイオード検波器とInP-HEMT増幅器を集積化した多層配線ICを作製した。InP-HEMTと整合させるために、バックワードダイオードには入力インピーダンス整合回路を設けた。整合回路付きのバックワードダイオードを用い、300GHzの超高周波で1,390V/Wの高い感度を達成できた。今後、InP-HEMT低雑音増幅器とGaAsSb高感度検波器を集積化した、増幅機能付き高性能テラヘルツ検出器の実現に期待ができる。