2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[16p-2Q-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2015年9月16日(水) 13:45 〜 17:00 2Q (231-1)

座長:荻野 明久(静岡大)

15:00 〜 15:15

[16p-2Q-6] ICP-CVDによる水素フリーSiNx膜の大面積成膜

〇高橋 英治1、高瀬 俊二1、寅丸 雅光2、真下 徹2 (1.日新電機株式会社、2.株式会社日本製鋼所)

キーワード：化学気相蒸着法、酸化物半導体、誘導結合プラズマ