[16p-2Q-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[16p-2Q-8] マルチホロー放電プラズマCVDにおける水素希釈のa-Si:H膜中クラスター混入量への影響

〇都甲 将¹、鳥越 祥宏¹、毛屋 公孝¹、徐 鉉雄¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九州大学)

キーワード：CVD、太陽電池、水素希釈

高効率水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)太陽電池の作製のための最重要課題は、光劣化の抑制である。近年筆者らは光劣化の原因であるナノ粒子(クラスター)の膜中への混入を抑制するマルチホロー放電プラズマCVD法を開発した。本研究では、マルチホロー放電プラズマCVD装置で水素希釈が膜中クラスター混入量に及ぼす影響について調べた。