[16p-3A-1~11] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

△ [16p-3A-8] GaIn_0.36N_0.006AsSb_0.015/GaN_0.01AsSb_0.11/GaAs量子井戸のスピン緩和時間の温度及び励起光強度依存性

〇浅川 将輝¹、大木 俊介¹、石川 友樹¹、Li Lianhe²、Harmand Jean-Christophe³、Lu Shulong⁴、竹内 淳¹ (1.早大理工、2.Leeds Univ.、3.LPN-CNRS、4.SINANO-CAS)

キーワード：量子井戸、化合物半導体、スピン緩和

ＧａＮＡｓＳｂ中間バリア層を持つＧａＩｎＮＡｓＳｂ/ＧａＡｓ量子井戸は、室温で１．６１μｍの発光が可能であり、長波長での発光素子の材料として期待されている。本研究では時間分解ポンププローブ計測を用い、スピン緩和時間を調べた。その結果として１０K-５０KでＢｉｒ－Ａｒｏｎｏｖ－Ｐｉｋｕｓ効果が、５０K-１５０KでＤ‘ｙａｋｏｎｏｖ－Ｐｅｒｅｌ効果が寄与している可能性が高いことがわかった。