[16p-4C-1~9] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16p-4C-5] Homoepitaxial Growth of Si-Doped Thick (001) β-Ga₂O₃ Layers by HVPE

〇Kazushiro Nomura¹, Ken Goto^1,2, Kohei Sasaki^2,3, Quang Tu Thieu^1,4, Rie Togashi¹, Hisashi Murakami¹, Yoshinao Kumagai¹, Masataka Higashiwaki³, Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Bo Monemar^4,5, Akinori Koukitu¹ (1.TUAT, 2.Tamura Corp., 3.NICT, 4.TUAT GIRO, 5.Linkoping Univ)

Keywords:Gallium Oxide,Halide vapor phase epitaxy

酸化ガリウムを用いた高耐圧・低損失な次世代パワーデバイス実現に向けて、ハライド気相成長法によるSiドープn形酸化ガリウム(001)厚膜のホモエピタキシャル成長を行った。Ga原料であるGaClとSi源であるSiCl₄の供給比をコントロールすることにより、キャリア密度を10¹⁵ cm^-3台から10¹⁸ cm^-3台までリニアに制御できることが明らかとなった。