[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-4C-7] HVPE成長したGa₂O₃ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性

〇小西 敬太¹、佐々木 公平^2,1、後藤 健^2,3、野村 一城³、Quang Tu Thieu^3,4、富樫 理恵³、村上 尚³、熊谷 義直³、Bo Monemar^4,5、纐纈 明伯³、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所、3.東京農工大院工、4.東京農工大GIRO、5.リンシェーピング大)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、ハライド気相成長法

酸化ガリウムはバンドギャップが約4.8 eVの単結晶酸化物半導体であり、GaNやSiCよりも広いバンドギャップを有しているため、次世代パワー半導体新材料として注目されている。今回、ハライド気相成長法により単結晶n⁺-Ga₂O₃ (001) 基板上にSiドープn^--Ga₂O₃ドリフト層を成膜したエピ基板を用いて、縦型ショットキーバリアダイオード構造を試作し、そのデバイス特性の温度依存性を評価した。