一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2015年3月13日(金) 09:00 〜 12:30 A24 (6A-217)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇Tomohiko Nakamura1, Toshiyuki Sameshima1, Masahiko Hasumi1, Tomohisa Mizuno2 (1.TUAT, 2.Kanagawa Univ.)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇(M1C)手原 大貴1、尾和瀬 智成1、呉 研1、高橋 芳浩1 (1.日大理工)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇藤川 雄太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大工)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇宝玉 充1、谷本 弘吉1、青木 伸俊1、石丸 一成1 (1.東芝セミコンダクター＆ストレージ社)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇森谷 真帆1, 2、小林 大輔2、山本 知之1、廣瀬 和之2 (1.早大理工, 2.宇宙科学研究所)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
〇佐藤 創志1、廣井 佑紀2、山部 紀久夫2、北畠 真3、遠藤 哲郎1, 4, 5、丹羽 正昭1 (1.東北大CIES, 2.筑波大院, 3.FUPET, 4.東北大CSIS, 5.東北大院工)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇(D)Weili Cai1, 2, Mitsuru Takenaka1, 2, Shinichi Takagi1, 2 (1.Tokyo Univ., 2.JST CREST)
スケジュール
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休憩 (10:45 〜 11:00)
11:00 〜 11:15
〇梅原 智明1、堀田 昌宏1、吉嗣 晃治1、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇功刀 遼太1、橋口 誠広1、志村 昴亮1、小椋 厚志3, 5、佐藤 真一4, 5、渡邉 孝信1, 2, 5 (1.早大理工, 2.早大ナノ機構, 3.明大理工, 4.兵庫県立大, 5.JST-CREST)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇清水 康雄1、韓 斌1、井上 耕治1、矢野 史子2、井上 真雄3、国宗 依信4、島田 康弘4、片山 俊治4、井手 隆4、永井 康介1 (1.東北大金研, 2.東京都市大, 3.ルネサス, 4.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)
スケジュール
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11:45 〜 12:00
〇YinHsien Su1, 2, JiaNan Shih1, Tomohiro Kubota2, WenHsi Lee1, YingLang Wang3, Seiji Samukawa2 (1.National Cheng Kung Univ., 2.Tohoku Univ., 3.TSMC)
スケジュール
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12:00 〜 12:15
〇Atthi Nithi1, Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Inst. of Tech.)
スケジュール
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12:15 〜 12:30
〇西村 知紀1、矢嶋 赳彬1、鳥海 明1 (1.東大院工)
スケジュール
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