[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[11a-A23-12] 電界依存型の誘電率を有するゲート絶縁膜を用いた急峻トランジスタの可能性とスイッチング性能の検討

〇太田 裕之^{1, 3}、右田 真司^{1, 3}、福田 浩一¹、鳥海 明^{2, 3} (1.産総研, 2.東大工, 3.JST CREST)

キーワード：極低電圧、急峻スイッチング、強誘電