[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [11a-A23-3] 表面ラフネス散乱がGeナノワイヤの正孔移動度に与える影響に関する理論的検討

〇田中 一¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：ゲルマニウム、ナノワイヤ、表面ラフネス散乱