[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[11a-A23-8] ひずみSOIトンネルFETの作製と電気的特性

〇植田 大貴^{1, 2}、金 閔洙^{1, 2}、竹中 充^{1, 2}、高木 信一^{1, 2} (1.東大, 2.JST CREST)

キーワード：トンネルFET、ひずみSi、SOI