[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [11a-A27-3] 高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出

〇武内 一真¹、小瀬村 大亮¹、山本 章太郎¹、富田 基裕^{1, 3}、臼田 宏治²、小椋 厚志¹ (1.明治大理工, 2.産総研 GNC, 3.学振特別研究員 DC)

キーワード：フォノン変形ポテンシャル、シリコンゲルマニウム