[11a-A29-1~13] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[11a-A29-1] 高信頼性ULSI-Cu配線用PVD-Co(W)膜の特性

〇百瀬 健¹、冨田 皓太¹、角田 隆明²、中川 隆史²、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工, 2.キヤノンアネルバ)

キーワード：Cu配線、Co(W)、物理気相成長