[11a-C2-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

[11a-C2-8] a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造 － 陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用 －

〇松木 伸行¹、上殿 明良²、ブライアン オローク³、大島 永康³ (1.岐阜大, 2.筑波大, 3.産総研)

キーワード：a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池、a-Si:H膜中ボイド構造、光学的評価