2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[11a-D8-1~10] 6.4 薄膜新材料

2015年3月11日(水) 09:00 〜 11:45 D8 (16-303)

09:45 〜 10:00

[11a-D8-4] Si(100)基板上の複合面方位CeO$_2$領域間の分離

〇井上 知泰1、信田 重成1 (1.いわき明星大科学技術)

キーワード:複合面方位構造、方位選択エピタキシー