[11a-P4-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[11a-P4-5] Si基板上への高配向ボロンドープ・ダイヤモンドの選択成長

〇(M1C)小宮 一輝¹、市川 直斗¹、小島 隆平¹、相馬 勇治¹、一色 秀夫¹ (1.電通大院先進理工)

キーワード：ダイヤモンド、選択成長、パワーデバイス