PDF ダウンロード スケジュール 7 いいね! 0 09:30 〜 11:30 [11a-P6-56] ナノシートCa2Nb3O10をゲート絶縁膜としたMoS2-FET構造の作製 〇小林 拓平1、広瀬 宗一郎1、内田 寛2、新家 義裕1、川江 健1、森本 章治1 (1.金沢大, 2.上智大) キーワード:二次元物質、MoS2、電界効果トランジスタ