[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-10] 段差付き基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性

〇(DC)樹神 真太郎¹、Asubar Joel¹、徳田 博邦¹、中澤 敏志²、石田 昌宏²、上田 哲三²、葛原 正明¹ (1.福井大院工, 2.パナソニック（株）AIS社　技術本部)

キーワード：AlGaN/GaN