2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:15 A21 (6A-213)

16:45 〜 17:00

[11p-A21-11] Au-Au熱圧着転写によるAlGaN/GaN HEMTのDC特性の向上

〇廣木 正伸1、熊倉 一英1、山本 秀樹1 (1.NTT物性研)

キーワード:GaN、HEMT、h-BN