2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:15 A21 (6A-213)

14:30 〜 14:45

[11p-A21-3] (010) Ga2O3 上Al2O3 結晶化層厚と界面準位密度の相関

〇上村 崇史1、ダイワシガマニ キルシナムルティ1、倉又 朗人2、山腰 茂伸2、東脇 正高1 (1.情通研機構, 2.タムラ製作所)

キーワード:酸化ガリウム、界面準位密度、原子層堆積