2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:15 A21 (6A-213)

16:00 〜 16:15

[11p-A21-8] MOCVD n-GaNで観測されるEv+0.86eV正孔トラップのODLTS測定

〇(M1)宮本 一輝1、徳田 豊1 (1.愛知工大)

キーワード：GaN、ODLTS、Ga空孔