2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:30 A23 (6A-216)

16:00 〜 16:15

[11p-A23-8] 単一Si/SiO2界面トラップのチャージポンピング(CP)特性：Pb０センターの電気的直接観測と従来CP理論の原理的改善

〇土屋 敏章1、小野 行徳2 (1.島根大総理工, 2.富山大工)

キーワード：MOS界面トラップ、チャージポンピング、Pbセンター