[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11p-B1-7] Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

〇(M2)浅津 宏伝¹、竹内 正太郎¹、今西 正幸²、中村 芳明¹、今出 完²、森 勇介²、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工, 2.阪大院工)

キーワード：GaN、Naフラックス法、転位