[11p-B5-1~9] 最先端CMOS技術とその将来展望

[11p-B5-9] Geチャネル High-k/メタルゲートMOSFET向けパッシベーションスキーム

〇中村 源志¹、Kandabara Tapily²、Robert Clark²、David O'Meara²、Steve Consiglio²、Richard Gaylord²、Cory Wajda²、Gert Leusink²、Tat Ngai³、Dmitry Veksler³、Chris Hobbs³、Ken Matthews³、David Gilmer³、Paul Kirsch³ (1.東京エレクトロン(株), 2.TEL Technology Center, America, LLC, 3.SEMATECH)

キーワード：高移動度チャネル材料