[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [11p-D1-10] ゾルゲル成膜した酸化亜鉛薄膜の乾燥温度依存性とTFT特性

〇川上 祐貴¹、大東 隆文¹、尾形 健一¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大工大ナノ材研センタ)

キーワード：酸化亜鉛、ゾルゲル法、薄膜トランジスタ