[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-9] 水素の影響による酸化亜鉛スズ(ZnSnO:ZTO)薄膜トランジスタの電気特性変化

〇(M1C)竹之内 良太¹、戸田 達也¹、石井 林太郎³、高橋 広己³、王 大鵬^{1, 2}、古田 守^{1, 2} (1.高知工大, 2.総研, 3.三井金属鉱業株式会社)

キーワード：薄膜トランジスタ