[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-13] アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタにおける電荷密度および移動度の添加元素依存性

〇三苫 伸彦¹、相川 慎也¹、欧阳 威¹、高 旭¹、木津 たきお¹、林 孟芳¹、藤原 明比古²、生田目 俊秀¹、塚越 一仁¹ (1.物材機構 WPI-MANA, 2.SPring-8)

キーワード：酸化インジウム、ドーピング、薄膜トランジスタ